电子工程学生需要面对一些基本的电子产品问题，无论他们是否正在准备采访或VIVA VOCE。因此，本文为您提供了一些面试和其他竞争考试的基本电子产品问题。
通常，您需要引用各种书籍，以涵盖电子产品的主题海洋。为了让你轻松，我从不同的主题中收集了一些基本的电子问题，并将它们组织成不同的部分。
最初，我将在大量选择类型的问题上集中注意力，将来我将添加解释和一些简短的答案类型问题。
大纲
基本介绍的问题
1.什么是理想的电压源？
答:内阻为零的器件。
2.什么是理想的电流源？
答:具有无限内阻的装置。
3.什么是实用的电压源?
答:内阻小的装置。
4.什么是实用电流源？
答:内阻具有大的装置。
5.理想电压源的电压是
答:0
B.常数
C.负载电阻相关
D.内阻相关
答:B
6.当前源的电流是
答:0
B.常数
C.负载电阻相关
D.内阻相关
答:B
7.称为可以携带电流的两个点之间的路径
答:一个网络
B.一个继电器
c电路
d .循环
答:C
8.根据欧姆法律的当前公式是
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
答:一个
9.电阻单位是
答:伏
b .音箱
c .欧姆
d .库仑
答:C
10.在恒压直流电路中，当电阻增大时，电流就会增大
A.减少
b .停止
c .增加
d .保持不变
答:一个
基本半导体理论
1.硅原子中的价电子数为
答:1
b . 4
c . 8
D. 16.
答:B
2.最常用的半导体元件是
A. Silicon.
b .锗
c .镓
D.碳
答:一个
铜是一个
答:绝缘子
b .导体
c .半导体
D.超级指挥
答:B
4.硅原子的核中的质子数是
答:4
b . 14
C. 29.
D. 32.
答:B
5.导体的价电子也称为
答:束缚电子
b .自由电子
C.核心
d .质子
答:B
6.本征半导体在室温下具有
A.一些游离电子和孔
B.许多洞
C.许多自由电子
D.没有洞
答:一个
7.在室温下，本征半导体由于
A.兴奋剂
B.自由电子
C.热能
d .价电子
答:C
8.本征半导体中的空穴数为
A.等于自由电子的数量
B.大于自由电子数量
C.少于自由电子数量
D.以上都不是
答:一个
9.洞作为
答:原子
b .晶体
C.负责费用
d .正电荷
答:D
10.选组里的奇数
A.指挥
B.半导体
C.四个价电子
D.晶体结构
答:一个
11.要生产p型半导体，您需要添加
答:三价杂质
b .碳
c .五价的杂质
d .硅
答:一个
12.电子是少数载体
A.外部半导体
B. P型半导体
c .本征半导体
d . n型半导体
答:D
13. P型半导体包含
A.孔和负离子
B.孔和正离子
空穴和五价原子
D.孔和供体原子
答:一个
14.五价原子有多少电子?
答:1
b . 3
c . 4
d . 5
答:D
15.负离子是
A.获得质子的原子
B.失去质子的原子
得到电子的原子
D.丢失电子的原子
答:C
16.在势垒两侧的PN结中电离的结果是什么?
A.阻挡电压
B.结合
c .耗尽区
d .正向电压
答:C
17.耗尽区的原因是__________
A.扩散
B.离子
c .掺杂
d .正向电压
答:一个
18.下列哪一个是半导体?
A.氩
b .碳
c .云母
d .陶瓷
答:B
19.掺杂材料如下
A. n型半导体
b大部分航空公司
C.外部半导体材料
d .五价的材料
答:D
20.我们可以很容易地激活少数载体使用
A.前向电压
b .掺杂
c .热
D.压力
答:C
半导体二极管基本问题
1.损耗层是由
A.兴奋剂
b复合
c .潜在障碍
D.离子
答:B
2.在二极管中反向电流通常是
A.非常小
b非常大
c . 0
D.在击穿区域
答:一个
3.二极管的雪崩发生在
A.障碍潜力
b .耗尽层
c .膝盖电压
D.击穿电压
答:D
4.硅二极管的势垒是
A. 0.3 V.
b . 0.7 V
C. 1 V.
D. 5V.
答:B
5.硅二极管中的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流为_____
答:平等
b .更高
C.降低
D.取决于温度
答:C
6.二极管是一个
答:双边设备
b .非线性设备
c .线性设备
d .单相设备
答:C
7.二极管电流大的条件是什么
答:正向偏压
b .逆偏见
c .可怜的偏见
D.反向偏见
答:一个
8.桥式整流器的输出电压信号为
答:半波
B.全波
C.桥接信号
d .正弦波
答:B
9.如果桥式整流器中二极管的最大直流电流额定值是1A，则最大直流负载电流是多少？
答:1
2 b。
4 c。
8 d。
答:B
10.电压倍增器产生
A.低电压和低电流
B.低电压和高电流
C.高电压低电流
D.高电压高电流
答:C
11.什么是快船?
答:一种消除波形的一部分(正极或负极)以使其不超过一定电压水平的电路。
12.什么是夹克？
答:一个电路，用于向波添加DC电压（正或负）。
13.可以描述齐纳二极管
A.整流二极管。
一种恒压装置。
C.恒流装置。
D.在前向区域工作的设备。
答:B
14.如果齐纳二极管以错误的极性连接，则负载上的电压是
答:0.7 V
b . 10 V
c . 14 V
D. 18 V.
答:一个
15.由于二极管只允许一个方向的电流流动，所以它们可以用于
A.当前限制
B.反极性保护
C.储存费用
D.电压调节
答:B
16.当你用万用表测试一个好的二极管时，它会显示出来
正向偏置或反向偏置时电阻低
正向偏置或反向偏置时电阻高
正向偏置时电阻高，反向偏置时电阻低
D.当反向偏置时正向偏置和高阻时，低电阻
答:D
17.当前流动何时在PN结中流动？
A. p型和n型元素电位相同时
B.当P型或n型元素没有潜力时
C. p型元素比n型元素处于更大的正电位时
D.当n型元素比n型更积极潜力时
答:C
18.通常使用夹紧电路
A.电视发射机和接收器
b . FM发射器
C.信号发生器(方形、梯形等)
D.以上所有
答:D
19.二极管正向偏压和反向电流的测量单位为
A.μA和μA
【答案】A
C. A
D. Ma和Ma
答:B
20.什么图形方法用于建模二极管特性
答:指数法
B.小信号近似
c .迭代法
D.恒压降法
答:一个
晶体管的基本问题
1.晶体管PN结的数目
A.一个
B.二
c .三
D.四
答:B
2.NPN晶体管中Base的掺杂浓度为
答:轻掺杂
b .适度掺杂
c .重掺杂
D.没有掺杂
答:一个
3.在NPN晶体管中基极发射极二极管(基极发射极结)是
A.不进行
b .正向偏压
C.反向偏见
D.在崩溃区域进行操作
答:B
4.基础，发射器和收集器之间的大小比较是
A.基底>集电极>发射极
B.发射器>收集器>基地
C.集电极>发射极>基极
D.一切都是平等的
答:C
5.底座 - 集电二极管（基本收集器结）通常是
A.反向偏见
b .正向偏压
C.崩溃区域
d .没有传导
答:一个
6.晶体管的直流电流增益为
发射极电流与集电极电流之比
B.基极电流与发射极电流之比
C.集电器电流与基极电流的比率
D.基准电流的碱基比率
答:C
7.如果基极电流为100µA，电流增益为100，则集电极电流为
答:1
B. 10A
c . 1马
d . 10马
答:D
8.NPN和PNP晶体管的主要载流子是
A.空穴和电子
B.电子和空穴
C.受体离子和给体离子
d .没有
答:B
9.晶体管的作用是充当
A.电压源和电流源
B.电流源和电阻器
C.二极管和电流源
二极管和电源
答:C
10.基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系为
ie = ib + IC
B. ib = IC + ie
C. IE = IB - IC
故答案为d
答:一个
11.晶体管耗散的总功率是集电极电流和电流的乘积
答:电源电压
B. 0.7V.
C.集电极 - 发射极电压
基极-发射极电压
答:C
12.共同发射器配置的输入阻抗是
答:低
B.高
c . 0
d .很高
答:一个
13.公共发射极配置的输出阻抗为
答:低
b非常低
c .高
d . 0
答:C
14.两种类型的双极连接晶体管（BJT）是
A. NNN和PPP
B. npn和pnp
C. PNN和NPP
D. nnp和ppn
答:B
15.BJT的常见故障有哪些?
答:内部短
B.开路偏压电阻
C.外部开放和
D. nnp和ppn
答:B
16.数字电路中的晶体管通常的操作区域是
答:活跃的地区
B.线性区域
C.崩溃区域
D.截止和饱和区域
答:D
17.发射器跟随配置的另一个名称是
A.公共基本放大器
B.普通发射器放大器
C.共集电极放大器
d·达林顿对
答:C
18.BJT是_________，FET是________
A.双极和单极
B.双极和双极
C.单极和单极
D.单极和双极
答:一个
19.共同基础配置（α）的当前增益是
A.基极电流与发射极电流之比(IB/IE)
B.集电极电流与发射极电流之比(IC/IE)
C.集电极电流与基极电流之比(IC/IB)
d .没有
答:B
20.α与ß的关系为
A. α = ß / (ß + 1)
ß = α / (1 - α)
C. α = ß * (ß + 1)
D. α = ß / (ß - 1)
答:A和B都有
